台積電資本支出概念股 突圍

晶圓代工龍頭台積電全力衝刺先進製程產能建置及技術研發，專為5奈米製程（N5）及3奈米製程（N3）量身打造的Fab 18正在加速建廠，並將成為全球擁有最大極紫外光（EUV）產能的半導體廠。

受惠於台積電的資本支出持續放大，法人看好漢唐、家登、京鼎、帆宣、弘塑、信紘科等資本支出概念股直接受惠。

台積電資本支出創下新高，位於中科的Fab 15超大型晶圓廠（GigaFab）持續擴建第9期及第10期工程，主要支援N7及N6製程，位於南科的Fab 18亦全力擴建支援N5產能，承接廠務工程的漢唐、帆宣、信紘科等接單暢旺。

由於先進製程已導入EUV微影技術，家登成為最大受惠，已是台積電極紫外光光罩盒（EUV Pod）主要供應商。

台積電擴建先進製程及先進封裝產能，國內外設備商接單暢旺。

法人表示，包括京鼎、帆宣、弘塑等同步受惠，且今年營運看旺，至於晶圓測試板及探針卡的需求成長快速，中華精測、雍智、旺矽等供應商也獲台積電訂單，全年營運可望優於去年，不受新冠肺炎疫情影響。

去(2019)年是台積電N7製程技術量產的第二年，去年底前取得超過100件客戶產品設計定案，同時，採用EUV技術的7奈米加強版（N7+）製程技術也開始量產。台積電利用N7優化推出的6奈米製程（N6）技術符合進度，預計於年底前進入量產，為下一波N7產品提供了一個明確的升級路徑。

台積電的N5製程技術也在去年進入試產，預計於今年開始量產。

N5製程技術可望拓展客戶的產品組合，並且隨著客戶尋求建立其產品領導地位時，擴大台積電的潛在市場。

在成熟製程方面，台積電也有布局。去年利用在28奈米製程技術上的領先地位開始量產22奈米超低功耗（22ULP）及22奈米超低漏電（22ULL）製程技術，台積電也擴展16奈米技術組合到12奈米精簡型強效版（12FFC+）製程技術及16奈米精簡型強效版（16FFC+）製程技術，以支援客戶在超低功耗應用上的需求。

藉由無縫整合的前段晶圓製程與後段晶片封裝，提供先進封裝解決方案，實現了晶圓級製程的系統整合。去年推出具備更精細的連結線寬與間距的第五代InFO（整合型扇出）解決方案，來支援行動裝置及高效能運算產品。

台積電CoWoS（基板上晶圓上晶片封裝）技術持續更大尺寸中介層的異質整合。台積電也開發了系統整合晶片（TSMC-SoIC），此項領先業界的3D晶片堆疊解決方案能夠整合多個非常鄰近的晶片，提供最佳的系統效能。

台積電一手擴產5奈米 一手催生3奈米

晶圓代工龍頭台積電在法人說明會上強調，今年資本支出150～160億美元的計畫不變。

台積電董事長劉德音及總裁魏哲家在致股東報告書中提及，期待5G相關及高效能運算（HPC）應用的發展，將會在未來幾年帶動對於台積電先進技術的強勁需求。憑藉著最先進的技術與產能，以及最廣泛的客戶群，台積電正處於最佳的位置引領業界掌握市場的成長。

今年新冠肺炎疫情影響全球經濟活動，半導體生產鏈可能會在下半年受到波及，但台積電強調，先進製程的投資是著眼於中長期的競爭優勢，今年國際間貿易緊張局勢造成總體經濟的不確定性持續存在，台積電將保持靈活的應變能力，致力於業務的基本體質，進一步加速技術的差異化。

對台積電來說，今年龐大資本支出將用於擴充5奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程（N5）產能。

N5技術為台積電推出的最新邏輯製程技術，此一領先全球的技術於去年已接獲多個客戶產品投片，包含行動通訊以及高效能運算產品，並預計於今年開始量產。相較於7奈米FinFET製程（N7）技術，N5技術速度增快約15％或功耗降低約30％。

台積電亦將推出5奈米FinFET強效版製程（N5P）技術，為N5技術的效能強化版技術，並採用相同的設計準則。相較於N7技術，N5P技術速度增快約20％或功耗降低約40％。N5P技術的設計套件預計於今年第二季進行下一階段N5技術更新時推出。

相較於N5製程技術，3奈米製程（N3）技術大幅提升晶片密度及降低功耗並維持相同的晶片效能。台積電去年的研發著重於基礎製程制定、良率提升、電晶體及導線效能改善以及可靠性評估，今年台積電將持續進行N3製程技術的全面開發。

台積電在關鍵微影技術上，去年研發重點在於N5技術轉移、N3奈米技術的開發及2奈米（N2）以下技術開發的先期準備。

針對N3技術的開發，極紫外光（EUV）微影技術展現優異的光學能力，與符合預期的晶片良率。研發單位正致力於EUV技術，以減少曝光機光罩缺陷及製程堆疊誤差，並降低整體成本。今年台積電在N2及更先進製程上將著重於改善極紫外光技術的品質與成本。

台積電去年研發組織成功完成N5製程光罩技術的轉移，並在N3技術順利導入更複雜且先進的EUV光罩技術，生產良率、週期時間及基板缺陷亦有實質進展，以符合大量生產的要求。

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