台積電殺進3奈米 持續站穩世界半導體龍頭!

台積電持續加快3奈米技術研發。（資料照）

台積電在7奈米、5奈米製程完封三星後，目前更加快3奈米研發，以延續領先地位，不讓對手三星有先縫插針搶單的機會，據電子時報報導，台積電3奈米傳出提前啟動，位於南科30公頃用地，可望提前4個月、預計於今年底即可完成交地，擺明就是衝著三星而來。

報導指出，相較於三星陷入7奈米EUV製程良率困境，台積電7奈米以下製程持續推進，幾乎吃下所有晶片大廠訂單，而5奈米預計明年第2季量產，目前傳出蘋果、華為和高通將搶下首波產能。

三星7月底曾宣布將在3奈米製程推出全新「環繞閘極」（Gate-All-Around，GAA）技術，號稱超前台積電1年，更贏過英特爾2~3年。

三星推出全新GAA技術的3奈米製程跟當前7奈米相較，可使耗能降低50%，晶片面積縮減45%，效能提高35%，預計2021年正式量產；而台積電也持續加快3奈米技術研發，預計2021年進行試產、2022年量產，至於3奈米技術細節並未披露。

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