中國又一半導體巨頭出現：1650億造芯工程，拉開國產閃存序幕

眾所周知，中國芯片產業長期以來落後於歐美，很多企業不得不依賴海外芯片。根據今年1月公布的數據，去年我國進口芯片數量為4175.7億件，同比增長10.8%。進口金額達到3120.58億美元（約合人民幣2.14萬億），同比增長19.8%。不過，近幾年我國芯片產業得到了迅速發展，湧現出海思半導體等一大批優秀企業。其中，長江存儲也成為近來年崛起的新巨頭。

說到長江存儲，那就不得不提及其前身武漢新芯。資料顯示，後者於2006年創立，一開始試圖進軍DRAM領域，但當時正值DRAM價格低迷周期，不得不放棄。隨後幾年，公司都在為美國飛索半導體生產NAND FLASH閃存，雖然技術水平還處在65nm階段，但也有不少訂單。（在這裡簡單提一下，存儲芯片大致分為內存和閃存，前者主要指DRAM，後者分為NAND FLASH和NOR FLASH。）

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然而，這樣的好景沒持續多久，飛索半導體在08年危機之後業績一路下滑，兩年後武漢新芯的訂單數量也隨之急劇下降。在這種情況下，公司不得不尋求出路，台灣台積電、美國美光、美國豪威都成為其潛在合資對象。不過當時國內業界不斷呼籲要走自主發展的道路，合資計劃最終被放棄。

合資未果之下，武漢新芯只能靠美國豪威的圖像傳感器訂單艱難發展。直到2011年，在當地穿針引線下，中芯國際給該公司投了十億美元。然而，當年中芯國際的營收只有13.2億美元，同比大幅下滑15.14%，淨利潤更是虧了2.47美元。在自身難保之下，不到兩年時間便退出武漢新芯。

2013年，武漢新芯導入兆易創新的NOR FLASH閃存業務，並為後者提供制造服務。雖然這次合作給新芯帶來了不少訂單，但其真正的命運轉機還是來自於國家集成電路大基金。2016年，新芯宣布投入240億美元（約合1650億人民幣）在武漢打造一個世界級半導體存儲企業，集中精力研究生產NAND FLASH和DRAM，由此拉開了國產閃存的序幕。

同年7月，在大基金的推動下，紫光集團積極參與，共同在武漢芯片的基礎上成立了長江存儲公司，前者成為後者的全資子公司。據了解，長江存儲成立後，主要分三個階段部署。第一家工廠專注NAND閃存生產，第二家工廠專注DRAM芯片生產，第三個階段的設施將專為供應商服務。

由於之前武漢芯片一直在為美國飛索半導體生產NAND FLASH，同時也在為兆易創新制造NOR FLASH。因此，長江存儲一開始就具備制造經驗，歷經約兩年時間的努力，研發出了首款32層3D NAND FLASH閃存芯片。去年，其發布了一項突破性的架構技術——Xtavking。據了解，該技術將給3D NAND閃存帶來I/O性能、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。

如今，長江存儲以NAND FLASH為主要產品的長江記憶體基地1期已實現量產，月產能達到5000片，辦公人數多達3000人。長江存儲COO高啟全曾表示：“十年之內長江存儲要達到世界一流水平，要有技術和市佔率，並且在這個過程中不應該看價格。”

有業內人士認為，半導體企業要想獲得長久的成功，必須擁有屬於自身的核心技術。目前，國產存儲器要想實現真正的逆襲，已然面臨諸多挑戰，比如技術差距和制作水平薄弱等。2019年是中國存儲行業的發展關鍵年，國內廠商應該要抓住時機。

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